“石墨烯之父”又发现超级材料！半导体的未来将是它？(2)

这使得世界上第一片高质量、原子厚度的硒化铟薄膜被生产出来。它在室温下的电子迁移率达到 2,000 cm2/Vs，远远超过了硅。在更低温度下，这项指标还会成倍増长。

当前的实验中，研究者们制作出的硒化铟长宽有几微米，大约相当于一根头发丝的横截面那么大。研究人员们相信，只要结合现有的制作大面积石墨烯的技术，硒化铟的商业化生产指日可待。

国立石墨烯研究院负责人，同时也是这篇论文作者之一的 Vladimir Falko 教授说：

“国立石墨烯研究院开发的技术，能把材料的原子层进行分离，生产出高质量二维晶体。这项技术为开发应用于光电子学的新材料，提供了广阔的前景。我们一直在寻找新的层状材料做试验。”

超薄硒化铟，是飞速增长的的二维晶体大家族中的一员。这些二维晶体，根据结构、厚度和化学成分的不同，有许多有用的属性。对石墨烯和二维材料的研究，沟通了科学和工程技术。在今天，这是材料科学发展最快的领域。