图片来源：诺德股份
11月6日，诺德股份（600110）总裁陈郁弼在行业会议上发布《电解铜箔未来发展技术路径与市场分析——AI电子电路铜箔专题》主题演讲，系统梳理AI算力浪潮下电解铜箔的技术走向与市场需求。
电解铜箔两种技术命题
据陈郁弼表示，同为电解铜箔，锂电铜箔与电子电路铜箔在技术属性与价值逻辑上却不相同。
锂电铜箔是锂电池负极的集流体，比拼的是厚度极限，减薄的价值在于“减重增能”——薄一微米，同样容量下用铜更少、且能量密度更高，客户按成本议价。
电子电路铜箔作为PCB、CCL的信号传输基材，竞争焦点则转向影响高频信号传输的铜箔表面轮廓平整度——粗糙度越低，信号传输质量越高，客户按性能议价。
就价格结构而言，铜价对两类产品大体一致，价差主要体现于加工费：锂电铜箔加工费在2.6-3.2万元/吨，而高端AI电子电路铜箔HVLP4加工费可达20-25万元/吨。
电子电路铜箔价值上行背后
电子电路铜箔的高价值，首先来自下游应用结构的变化。它的应用重心已从手机、PC这类消费电子，转向AI服务器与加速卡、高速交换机、5G/6G基站、1.6T光模块，以及IC载板与先进封装。场景越往算力侧走，对信号损耗的容忍度就越低，对铜箔低轮廓要求更极致。
而应用场景迁移之后，用量也随之被推高。AI服务器单台的覆铜板用量是传统服务器的3-5倍，板材层数从22层走向24层甚至更高，材料等级从M8走向M9。东吴证券测算，2026年高端铜箔需求约2.4万吨，同比增长260%，AI高端HVLP铜箔需求2030年将突破11万吨，五年增长约13倍。
需求快速抬升，供给却难以同步跟进。受良率瓶颈、表面处理设备交付周期长、覆铜板+PCB+终端客户三重认证壁垒高等多重因素制约，多家行业调研机构均判断高端电子电路铜箔将持续处于供给紧缺状态。供需缺口推动HVLP4报价上行至30-40美元/公斤，和锂电铜箔加工费拉开明显价差。
电子电路铜箔技术演进逻辑
高价背后，本质是一套围绕信号传输要求持续迭代的技术路线：低轮廓化，正是高端电子电路铜箔拉开价值差距的核心。
电子电路铜箔的技术演进，可归纳为表面轮廓持续收敛的过程：HTE高温高延铜箔Rz约8μm，用于传统消费电子PCB；RTF反转铜箔降至约5μm，支撑5G基站与中低速服务器；VLP极低轮廓铜箔约2μm，进入高速网络与中阶交换机；HVLP超低轮廓铜箔≤0.6μm（HVLP4），成为AI服务器与1.6T光模块的关键配套材料。
这一路径由趋肤效应决定——信号频率越高，电流越集中于导体表面极薄的一层；表面越粗糙，散射越多，插入损耗越大。至224GSerdes时代，每0.1μm的粗糙度差异都可能导致信号误码率超限。
IC载板是下一个十年的高价值延伸方向，与之适配的则是载体极薄铜箔，其采用“载体铜箔+分离层+极薄铜箔”复合结构，有效铜层厚度1.5-3μm，可满足IC载板精细线路要求，是AI芯片先进封装的关键基材，目前属国产化率最低、技术门槛最高的品类之一。
目前，诺德股份RTF1-3、HVLP1/2已量产持续供货，HVLP3/4已小批量交付；接下来将继续推进HVLP5及载体铜箔的客户认证，持续提升高端电子电路铜箔的产销规模。
诺德股份产业能力
技术路径最终由产业能力承接。诺德股份实行“锂电铜箔+电子电路铜箔”双箔驱动战略，在青海西宁、广东惠州、湖北黄石、江西贵溪布局四大铜箔生产基地，2026年铜箔产能17万吨/年，其中电子电路铜箔3万吨、锂电铜箔14万吨，现阶段产能满开；江西贵溪基地二期拟规划扩建4万吨高端铜箔产线，主要聚焦AI电子电路铜箔。
产品端，从3-6微米极薄锂电铜箔到全球少有的超厚电解铜箔，诺德股份构建了从极薄到极厚的全品类矩阵——能做极薄的产线，才有底气谈更薄的载体箔。研发端，设诺德新材料研究院，累计200余位研发人员，其中惠州基地更被誉为“锂电铜箔行业的黄埔军校”，组建“鲁班实验室”汇聚20余位国际资深铜箔专家，主攻AI电子电路铜箔。制造端，引入法国达索MES系统并配套DCS控制、CCD在线检测，高端智能制造与精细化管理保障产品批次稳定性与规模化交付能力。
铜箔的价值逻辑，已转向锂电铜箔的极薄化、高强度与电子电路铜箔的低轮廓、高信号传输能力共同升级。正如陈郁弼在演讲结尾所言：“AI时代的算力竞赛，归根到底是材料的竞赛。诺德愿以极致的铜箔，连接每一颗芯片，支撑中国算力底座的自主与强大。”
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