耐压100V也很容易实现
在硅晶圆上批量制造的优点除了可量产之外，还包括：容易实现多个芯片的串联和并联，能够以高自由度设计工作电压和静电容量。串联和并联引起的电压和静电容量的变化“几乎跟课本上说的一样”（产综研纳米管实用化研究中心负责人畠贤治）。
例如，如果单个芯片的耐压为1V、静电容量为约30μF，将这样的4个芯片串联成一组，并联4组，可以实现耐压为4V、静电容量约30μF的器件（图1（a））。如果将100个芯片串联，还可以实现耐压100V。将100个芯片并联，可以实现约3000μF的静电容量。
可用于AC-DC转换
IEDC也存在一些课题。一是等效串联电阻（ESR）比铝电解电容器大。一般来说，较大的ESR不适合处理高频和大电流的用途。即便如此，产综研表示，已确认这种IEDC在60Hz的AC-DC转换等较低频率领域用途可正常工作。
ESR大当然也有有利的一方面。因为在尺寸小这一点上与IEDC形成竞争的MLCC就存在ESR过小而容易振荡的课题。
IEDC的另一个课题是制造成本高（图3）。原因是光刻装置等的成本高，但畠贤治表示“单价有可能降到100日元左右，与MEMS（微电子机械系统）元件刚开始量产时差不多”。
图3：将来成本将与MEMS元件相当
IEDC的特点、课题及今后的开发方向。由于采用光刻技术，即使成本降低，单个的成本也在100日元左右，与MEMS相当，仍比铝电解电容器高。但另一方面，IEDC具有附加值，例如可以在SoC的封装内安装、在树脂基板上制造等。今后有望进一步小型化，成品率也会提高。
高成本靠高附加值抵销
产综研对IEDC的希望是，找到可充分利用其附加价值的新用途使之投入实用，而不是与现有产品一味进行价格竞争。
今后，产综研将通过增加CNT的膜厚，进一步减小芯片尺寸，同时将目前约为90％的成品率提高到99％以上，并实现实用化。畠贤治表示“还打算取代Si基板，在树脂基板上制造IEDC，以降低其成本，扩大其用途”。
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