5月29日，为进一步加强光伏制造行业管理，规范产业发展秩序，提高行业发展水平，加快推进光伏产业转型升级，工信部电子信息司组织修订完成了《光伏制造行业规范条件（2020年本）》（征求意见稿），现公开征求意见。
征求意见稿明确，严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目，引导光伏企业加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建多晶硅制造项目，最低资本金比例为30%，其他新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%，其中，电池制造项目投资强度不低于900万元/亩，组件制造项目投资强度不低于500万元/亩。
征求意见稿强调，光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、生产成本低的生产技术和设备。光伏制造企业每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%，且不少于1000万元人民币，鼓励企业取得省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于上一年实际产能的50%。
为加强光伏制造行业管理，引导产业加快转型升级和结构调整，推动我国光伏产业持续健康发展，根据国家有关法律法规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国发〔2013〕24号），按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定本规范条件。
一、生产布局与项目设立
（一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求，符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。
（二）在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的自然保护区、饮用水水源保护区、生态功能保护区，已划定的永久基本农田，以及法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应按照法律法规要求拆除关闭，或严格控制规模、逐步迁出。
（三）严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目，引导光伏企业加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建多晶硅制造项目，最低资本金比例为30%，其他新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%，其中，电池制造项目投资强度不低于900万元/亩，组件制造项目投资强度不低于500万元/亩。
二、工艺技术
（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。
（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币，鼓励企业取得省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于上一年实际产能的50%。
（三）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T 25074）或《流化床法颗粒硅》（GB/T 35307）特级品的要求。
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于2μs，碳、氧含量分别小于10ppma和10ppma；P型单晶硅片少子寿命不低于50μs，N型单晶硅片少子寿命不低于500μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。
3.多晶硅电池和单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于19%和22.5%。
4.多晶硅组件和单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于17%和19.6%。
5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于12%、15%、14%、14%。
6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96.5%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%（单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和97.3%），微型逆变器相关指标分别不低于95%和95.5%，鼓励逆变器企业加强与产业链上游企业合作。
（四）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《电子级多晶硅》（GB/T 12963）3级品以上要求或《流化床法颗粒硅》（GB/T 35307）特级品的要求。
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于2.5μs，碳、氧含量分别小于6ppma和8ppma；P型单晶硅片少子寿命不低于80μs，N型单晶硅片少子寿命不低于700μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。
3.多晶硅电池和单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于20%和23%。
4.多晶硅组件和单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于17.8%和20%。
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于13%、16%、15%、15%。
（五）晶硅组件衰减率首年不高于2.5%，后续每年不高于0.6%，25年内不高于17%；薄膜组件衰减率首年不高于5%，后续每年不高于0.4%，25年内不高于15%。
三、资源综合利用及能耗
（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。
（二）光伏制造项目电耗应满足以下要求：
1.现有多晶硅项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于80千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于50千瓦时/千克，综合电耗小于70千瓦时/千克。
2.现有硅锭项目平均综合电耗小于7.5千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于6.5千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合电耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。
3.现有硅棒项目平均综合电耗小于30千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于28千瓦时/千克。
4.现有多晶硅片项目平均综合电耗小于25万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于20万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合电耗小于20万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于15万千瓦时/百万片。
5.晶硅电池项目平均综合电耗小于8万千瓦时/MWp。
6.晶硅组件项目平均综合电耗小于4万千瓦时/MWp，薄膜组件项目平均电耗小于50万千瓦时/MWp。
（三）光伏制造项目生产水耗应满足以下要求：
1.多晶硅项目水循环利用率不低于95%；
2.硅片项目水耗低于1300吨/百万片；
3.P型晶硅电池项目水耗低于750吨/MWp，N型晶硅电池项目水耗低于900吨/MWp。
（四）其他生产单耗需满足国家相关标准。
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